Компания Micron представила высокоскоростную флеш-память NAND. Скорость
чтения у новой памяти составляет 200 мегабайт в секунду, а скорость
записи - до 100 мегабайт в секунду.
У обычной NAND-памяти
скорость чтения ограничена 40 мегабайтами в секунду, а скорость записи
составляет менее 20 мегабайт в секунду.
Новая память создана
по 55-нанометровому технологическому процессу и выдерживает до 100
тысяч циклов чтения/записи. Представленные образцы могут хранить до 8
гигабит данных, сообщает Lenta.ru.
Ожидается, что производители начнут массовое производство высокоскоростной памяти во второй половине 2008 года.
